EPC2103

EPC
65-EPC2103
EPC2103

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3

壽命週期:
Mouser新產品
規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 980

庫存：
980 可立即送貨
工廠前置作業時間：
18 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$385.56 NT$385.56
NT$267.84 NT$2,678.40
NT$223.20 NT$22,320.00
完整捲（訂購多個500）
NT$182.16 NT$91,080.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
EPC
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
Die
N-Channel
2-Channel
80 V
30 A
5.5 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
6.5 nC, 6.5 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
品牌: EPC
配置: Dual
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW, CN
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品: Power Transistor
產品類型: GaN FETs
原廠包裝數量: 500
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: 2 N-Channel
類型: Half-Bridge
每件重量: 23 mg
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。