GS8162Z18DB-200I

GSI Technology
464-GS8162Z18DB-200I
GS8162Z18DB-200I

製造商：

說明：
SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$983.16 NT$983.16
NT$910.80 NT$9,108.00
NT$881.64 NT$18,514.44
NT$788.04 NT$33,097.68
NT$769.68 NT$80,816.40
NT$745.92 NT$187,971.84
NT$713.88 NT$359,795.52
1,008 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
GSI Technology
產品類型: SRAM
18 Mbit
1 M x 18
6.5 ns
200 MHz
Parallel
3.6 V
2.3 V
215 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
BGA-119
Tray
品牌: GSI Technology
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: Not Available
存儲類型: SDR
濕度敏感: Yes
產品類型: SRAM
系列: GS8162Z18DB
原廠包裝數量: 21
子類別: Memory & Data Storage
公司名稱: NBT SRAM
類型: NBT Pipeline/Flow Through
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b

NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

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