+886-2-2799-2096

TTI Family of Specialists旗下成員聯絡Mouser (台北) +886-2-2799-2096 意見回應

更改位置

庫存量

RoHS

登入
新客戶？在此處開始
登入
新客戶？在此處開始

訂單記錄

製造商	製造商編號：	數量	合并总计

瀏覽購物車

似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

發現錯誤嗎?

AIMDQ75R007M2HXTMA1

Name: Infineon AIMDQ75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMDQ75R007M2HXT
Price: 1244.88 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

726-AIMDQ75R007M2HXT

製造商編號：

AIMDQ75R007M2HXTMA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

碳化矽MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

AIMDQ75R007M2HXTMA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Infineon Technologies AIMDQ75R007M2HXTMA1的資訊

庫存量: 24

庫存：: 24 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 8 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$1,244.88	NT$1,244.88
	NT$1,018.80	NT$10,188.00
	NT$900.00	NT$90,000.00
	NT$895.68	NT$447,840.00
完整捲（訂購多個750）
	NT$894.24	NT$670,680.00
2,250	報價

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PG-HDSOP-22
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	750 V
Id - C連續漏極電流:	220 A
Rds On - 漏-源電阻:	9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5.6 V
Qg - 閘極充電:	164 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	789 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	CoolSiC
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	AT
下降時間:	10 ns
互導 - 最小值:	78 S
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品:	SiC MOSFET
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	18 ns
系列:	CoolSiC G2
原廠包裝數量:	750
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
類型:	Automotive MOSFET
標準斷開延遲時間:	40 ns
標準開啟延遲時間:	17 ns
零件號別名:	AIMDQ75R007M2H SP005982740

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

AIMDQ75R007M2HXTMA1 規格書 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of R_DS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.