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AIMDQ75R020M2HXTMA1

Name: Infineon AIMDQ75R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMDQ75R020M2HXT
Price: 577.44 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

726-AIMDQ75R020M2HXT

製造商編號：

AIMDQ75R020M2HXTMA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

碳化矽MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

AIMDQ75R020M2HXTMA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$577.44	NT$577.44
	NT$470.16	NT$4,701.60
	NT$392.04	NT$39,204.00
	NT$349.92	NT$174,960.00
完整捲（訂購多個750）
	NT$328.68	NT$246,510.00
2,250	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PG-HDSOP-22
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	750 V
Id - C連續漏極電流:	86 A
Rds On - 漏-源電阻:	25 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	-7 V to + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.5 V
Qg - 閘極充電:	59 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	340 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	CoolSiC
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	AT
下降時間:	7 ns
互導 - 最小值:	27 S
濕度敏感:	Yes
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品:	SiC MOSFET
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	10 ns
原廠包裝數量:	750
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
類型:	Automotive Power Device
標準斷開延遲時間:	22 ns
標準開啟延遲時間:	11 ns
零件號別名:	AIMDQ75R020M2H SP006089223

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所選屬性: 0

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規格書

AIMDQ75R020M2HXTMA1 規格書 (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of R_DS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.