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AIMZA75R007M2HXKSA1

Name: Infineon AIMZA75R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMZA75R007M2HXK
Price: 1289.52 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

726-AIMZA75R007M2HXK

製造商編號：

AIMZA75R007M2HXKSA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

碳化矽MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

AIMZA75R007M2HXKSA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$1,289.52	NT$1,289.52
	NT$1,055.16	NT$10,551.60
	NT$932.40	NT$93,240.00
1,000	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	碳化矽MOSFET
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	PG-TO-247-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	750 V
Id - C連續漏極電流:	172 A
Rds On - 漏-源電阻:	9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 11 V, + 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5.6 V
Qg - 閘極充電:	169 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	263 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	CoolSiC
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	AT
下降時間:	10 ns
互導 - 最小值:	78 S
封裝:	Tube
產品:	Power MOSFET
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	18 ns
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
類型:	CoolSiC Automotive Power Device
標準斷開延遲時間:	40 ns
標準開啟延遲時間:	17 ns
零件號別名:	AIMZA75R007M2H SP006113236

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所選屬性: 0

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規格書

AIMZA75R007M2HXKSA1 規格書 (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of R_DS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.