IMZC120R007M2HXKSA1

Name: Infineon IMZC120R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZC120R007M2HXK
Price: 1445.04 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

726-IMZC120R007M2HXK

製造商編號：

IMZC120R007M2HXKSA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

IMZC120R007M2HXKSA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Infineon Technologies IMZC120R007M2HXKSA1的資訊

庫存量: 67

庫存：: 67 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 5 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$1,445.04	NT$1,445.04
	NT$1,022.40	NT$10,224.00
	NT$969.12	NT$96,912.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	PG-TO247-4-U07
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	201 A
Rds On - 漏-源電阻:	20 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5.1 V
Qg - 閘極充電:	176 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	711 W
公司名稱:	CoolSiC
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Enhancement
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	AT
下降時間:	33.6 ns
互導 - 最小值:	60 S
封裝:	Tube
產品:	MOSFET
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	21.5 ns
系列:	CoolSiC G2
原廠包裝數量:	240
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
類型:	SiC MOSFET
標準斷開延遲時間:	76.3 ns
標準開啟延遲時間:	32.4 ns
零件號別名:	IMZC120R007M2H SP006031756

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IMZC120R007M2HXKSA1 規格書 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET

英飛凌 CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET是電力電子應用的高性能解決方案。這些MOSFET展現出優異的電氣特性和極低的切換損耗，能達到高效率的運作。該1200V G2 MOSFET設計可用於過載條件，支援最高200°C的運作，並可承受長達2µs的短路。這些裝置採用4.2V基準閘極閾值電壓 (V_G(th))，確保了精確的控制。