GTVA126001EC-V1-R0

Name: MACOM GTVA126001EC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA126001ECV1R0
Price: 40559.04 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

941-GTVA126001ECV1R0

製造商編號：

GTVA126001EC-V1-R0

製造商：

MACOM

說明：

氮化鎵場效應管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W

規格書:

GTVA126001EC-V1-R0 規格書 (PDF)

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	H-36248-2
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	150 V
Id - C連續漏極電流:	10 A
Vgs th - 門源門限電壓 :	- 3 V
品牌:	MACOM
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	US
增益:	18 dB
最大工作頻率:	1.4 GHz
最低工作頻率:	1.2 GHz
輸出功率:	600 W
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	50
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	- 10 V to 2 V

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規格書

GTVA126001EC-V1-R0 規格書 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

GTVA高功率RF GaN on SiC HEMT

Wolfspeed/Cree GTVA高功率射頻碳化矽基氮化鎵HEMT為採用碳化矽基氮化鎵技術的50V高電子遷移率電晶體 (HEMT)。碳化矽基氮化鎵裝置可提供高功率密度，並具備高崩潰電壓，可用於製造高效率的功率放大器。GTVA高功率射頻碳化矽基氮化鎵HEMT採用輸入匹配、高效率且經過熱強化的封裝。這些脈衝/連續波 (CW) 裝置的脈寬為128 µs，工作週期為10%。