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PCDD08120G1_L2_00001

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Mouser 編號：

241-PCDD08120G1L2001

製造商編號：

PCDD08120G1_L2_00001

製造商：

Panjit

說明：

SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode

規格書:

PCDD08120G1_L2_00001 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Panjit
產品類型:	碳化矽肖特基二極管
付運限制：	Mouser目前不在您的地區出售本產品。
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TO-252AA-3
配置:	Single
If - 順向電流:	8 A
Vrrm - 重複反向電壓:	1.2 kV
Vf - 順向電壓:	1.5 V
Ifsm - 順向浪湧電流:	560 A
Ir - 反向電流:	6 uA
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	SiC Gen.1
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Panjit
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
Pd - 功率消耗 :	156.3 W
產品類型:	SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Diodes & Rectifiers
每件重量:	321.700 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.