STDRIVEG212QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG212QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG212QTR
Price: 138.96 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STDRIVEG212QTR

製造商編號：

STDRIVEG212QTR

製造商：

STMicroelectronics

說明：

閘極驅動器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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規格書:

STDRIVEG212QTR 規格書 (PDF)

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$138.96	NT$138.96
	NT$124.92	NT$1,249.20
	NT$106.92	NT$2,673.00
	NT$96.12	NT$9,612.00
	NT$80.28	NT$20,070.00
	NT$77.40	NT$38,700.00
	NT$64.80	NT$64,800.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$54.72	NT$164,160.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	閘極驅動器
RoHS:
產品:	Gate Driver
類型:	Half-Bridge
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	QFN-18
驅動器數:	2 Driver
輸出數:	3 Output
輸出電流:	1.8 A
電源電壓 - 最小值:	10.3 V
電源電壓 - 最大值:	18 V
配置:	Inverting, Non-Inverting
上升時間:	22 ns
下降時間:	13 ns
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 125 C
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	STMicroelectronics
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	TH
開發套件:	EVLSTDRIVEG212
最長斷開延遲時間:	65 ns
最長接通延遲時間:	65 ns
濕度敏感:	Yes
運作供電電流:	900 uA
輸出電壓:	220 V
產品類型:	Gate Drivers
傳輸延遲 - 最大值:	65 ns
Rds On - 漏-源電阻:	4.8 Ohms
關機:	Shutdown
原廠包裝數量:	3000
子類別:	PMIC - Power Management ICs
技術:	GaN
公司名稱:	STDRIVE

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所選屬性: 0

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規格書

STDRIVEG212QTR 規格書 (PDF)

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG212 220V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG212 220V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 220V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG212 optimized for driving high-speed GaN.