STDRIVEG612QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG612QTR
STDRIVEG612QTR

製造商：

說明：
Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
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STMicroelectronics
產品類型: 閘極驅動器
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RoHS:  
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1.8 A
10.3 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
22 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
品牌: STMicroelectronics
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TH
最長斷開延遲時間: 65 ns
最長接通延遲時間: 65 ns
濕度敏感: Yes
輸出電壓: 520 V
產品類型: Gate Drivers
傳輸延遲 - 最大值: 65 ns
Rds On - 漏-源電阻: 6.8 Ohms
關機: Shutdown
原廠包裝數量: 3000
子類別: PMIC - Power Management ICs
技術: GaN
公司名稱: STDRIVE
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STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.

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