STGP5H60DF

STMicroelectronics
511-STGP5H60DF
STGP5H60DF

製造商：

說明：
IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$70.56 NT$70.56
NT$33.88 NT$338.80
NT$30.31 NT$3,031.00
NT$24.05 NT$12,025.00
NT$22.00 NT$22,000.00
NT$21.24 NT$42,480.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.5 V
- 20 V, 20 V
10 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGP5H60DF
Tube
品牌: STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic : 10 A
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
柵射極漏電電流: 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 1000
子類別: IGBTs
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at TJ=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (VCE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

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