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STGWA80H65DFBAG

Name: STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA80H65DFBAG
Price: 230.4 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

511-STGWA80H65DFBAG

製造商編號：

STGWA80H65DFBAG

製造商：

STMicroelectronics

說明：

IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

完成您的設計

規格書:

STGWA80H65DFBAG 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$230.40	NT$230.40
	NT$136.08	NT$1,360.80
	NT$113.04	NT$13,564.80
	NT$109.44	NT$55,814.40

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	TO-247-3
安裝風格:	Through Hole
集電極-發射極最大電壓VCEO:	650 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.65 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	120 A
Pd - 功率消耗 :	535 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
資格:	AEC-Q100
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	30
子類別:	IGBTs
每件重量:	6.100 g

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所選屬性: 0

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.