STL115N10F7AG

Name: STMicroelectronics STL115N10F7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL115N10F7AG
Price: 115.2 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STL115N10F7AG

製造商編號：

STL115N10F7AG

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

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規格書:

STL115N10F7AG 規格書 (PDF)

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$115.20	NT$115.20
	NT$75.24	NT$752.40
	NT$52.20	NT$5,220.00
	NT$44.64	NT$22,320.00
	NT$42.48	NT$42,480.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$41.40	NT$124,200.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerFLAT-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	107 A
Rds On - 漏-源電阻:	5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	72.5 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	136 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
公司名稱:	STripFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	IT
下降時間:	20 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	38 ns
系列:	STL115N10F7AG
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	48 ns
標準開啟延遲時間:	33 ns
每件重量:	76 mg

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所選屬性: 0

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規格書

STL115N10F7AG 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STMicroelectronics STripFET VII Power MOSFETs

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.