STP150N10F7AG

STMicroelectronics
511-STP150N10F7AG
STP150N10F7AG

製造商：

說明：
MOSFET Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$169.20 NT$169.20
NT$92.52 NT$925.20
NT$84.96 NT$8,496.00
NT$70.20 NT$35,100.00
NT$65.52 NT$65,520.00
NT$64.80 NT$162,000.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
110 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
117 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
AEC-Q100
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: IT
下降時間: 33 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 57 ns
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 72 ns
標準開啟延遲時間: 33 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.

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