STPSC30G12WL

STMicroelectronics
511-STPSC30G12WL
STPSC30G12WL

製造商：

說明：
碳化矽肖特基二極管 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$539.64 NT$539.64
NT$402.84 NT$4,028.40
NT$348.48 NT$34,848.00
NT$333.00 NT$199,800.00
NT$308.16 NT$369,792.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
Through Hole
DO-247-2
Single
30 A
1.2 kV
1.35 V
250 A
15 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
品牌: STMicroelectronics
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 600
子類別: Diodes & Rectifiers
每件重量: 6 g
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

PCN

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CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

標準產品

STMicroelectronics標準產品為符合產業標準且可簡易替換的多樣化產品，適合廣泛使用的通用類比IC、獨立元件及序列EEPROM。標準產品依據多項適用於汽車應用的AECQ最高品質標準製造，提供完整的設計輔助工具，包括SPICE、IBIS模型及模擬工具，使設計更加簡單。

STPSC30G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC30G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC30G12 is an ultrahigh performance power Schottky rectifier manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

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