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STPSC8H065DI

Name: STMicroelectronics STPSC8H065DI
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC8H065DI
Price: 147.24 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-STPSC8H065DI

製造商編號：

STPSC8H065DI

製造商：

STMicroelectronics

說明：

碳化矽肖特基二極管 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode

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規格書:

STPSC8H065DI 規格書 (PDF)

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NT$-.--

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$147.24	NT$147.24
	NT$73.44	NT$734.40
	NT$66.96	NT$6,696.00
	NT$57.24	NT$28,620.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	碳化矽肖特基二極管
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220AC-2
配置:	Single
If - 順向電流:	8 A
Vrrm - 重複反向電壓:	650 V
Vf - 順向電壓:	1.98 V
Ifsm - 順向浪湧電流:	420 A
Ir - 反向電流:	65 uA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	STPSC
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	SG
產品類型:	SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Diodes & Rectifiers
每件重量:	2.300 g

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所選屬性: 0

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規格書

STPSC8H065DI 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

標準產品

STMicroelectronics標準產品為符合產業標準且可簡易替換的多樣化產品，適合廣泛使用的通用類比IC、獨立元件及序列EEPROM。標準產品依據多項適用於汽車應用的AECQ最高品質標準製造，提供完整的設計輔助工具，包括SPICE、IBIS模型及模擬工具，使設計更加簡單。

STPSC蕭特基碳化矽二極體

STMicroelectronics蕭特基碳化矽二極體運用SiC優於標準矽的優異物理特性，提供高出4倍的動態特性與減少15%的順向電壓 (VF)。ST的碳化矽二極體擁有低反向恢復特性，因此成為SMPS應用和其他新興領域的關鍵節能因素，而這些領域包括太陽能轉換、EV或HEV充電站，以及焊接設備和空調等應用。STMicroelectronics SiC產品組合在原有的4至12安培穿孔和SMD封裝產品選項中，加入了20A、600V二極體，採用不含鹵素的TO-247封裝。另外亦提供第二代6A、1200V裝置及650V系列。

STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes are ultra-high-performance power Schottky diodes. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These STMicroelectronics devices are especially suited for PFC applications, boosting performance in hard switching conditions. High forward surge capability ensures good robustness during transient phases.