STWA65N60DM6

STMicroelectronics
511-STWA65N60DM6
STWA65N60DM6

製造商：

說明：
MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$259.56 NT$259.56
NT$191.88 NT$1,918.80
NT$155.16 NT$15,516.00
NT$135.00 NT$81,000.00
NT$134.64 NT$161,568.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
38 A
71 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
54 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
產品類型: MOSFETs
系列: DM6
原廠包裝數量: 600
子類別: Transistors
每件重量: 6 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Qg), very low recovery charge (Qrr), low recovery time (trr), and an excellent RDS(on) per area.

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