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CSD17576Q5B

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Mouser 編號：

595-CSD17576Q5B

製造商編號：

CSD17576Q5B

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17576Q5BT

規格書:

CSD17576Q5B 規格書

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
送貨限制:	Mouser目前不在您的地區出售本產品。
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	VSON-CLIP-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	60 A
Rds On - 漏-源電阻:	2.4 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.1 V
Qg - 閘極充電:	53 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	125 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	PH
下降時間:	3 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	16 ns
系列:	CSD17576Q5B
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	23 ns
標準開啟延遲時間:	5 ns
每件重量:	106.100 mg

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所選屬性: 0

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規格書

CSD17576Q5B 規格書

SPICE Models

CSD17576Q5B PSpice Model (Rev. A)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。