CSD19533KCS

Texas Instruments
595-CSD19533KCS
CSD19533KCS

製造商：

說明：
MOSFET 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET

規格書:
ECAD模型:
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最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$81.36 NT$81.36
NT$44.28 NT$442.80
NT$38.16 NT$3,816.00
NT$31.90 NT$15,950.00
NT$27.25 NT$27,250.00
NT$27.00 NT$135,000.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Texas Instruments
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
10.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
NexFET
Tube
品牌: Texas Instruments
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 2 ns
互導 - 最小值: 115 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 5 ns
系列: CSD19533KCS
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 12 ns
標準開啟延遲時間: 7 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

Images

PCN

SPICE Models

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

TI N-Channel 8-23-12


NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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