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CSD22206W

Name: Texas Instruments CSD22206W
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD22206W
Price: 38.52 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

595-CSD22206W

製造商編號：

CSD22206W

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT

規格書:

CSD22206W 規格書

ECAD模型:

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NT$-.--

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完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$38.52	NT$38.52
	NT$23.80	NT$238.00
	NT$15.52	NT$1,552.00
	NT$11.95	NT$5,975.00
	NT$10.80	NT$10,800.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$9.18	NT$27,540.00
	NT$8.64	NT$51,840.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

CSD22206WT

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

NT$69.84

最小值:

相似產品

製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD22206WT

說明：

MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DSBGA-9
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	8 V
Id - C連續漏極電流:	5 A
Rds On - 漏-源電阻:	9.1 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 6 V, 6 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.05 V
Qg - 閘極充電:	14.6 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1.7 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
組裝國家:	PH
擴散國:	CN
原產國:	PH
下降時間:	45 ns
互導 - 最小值:	20 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	17 ns
系列:	CSD22206W
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 P-Channel
標準斷開延遲時間:	118 ns
標準開啟延遲時間:	37 ns
每件重量:	200 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

SPICE Models

Technical Resources

CSD22206W TINA-TI Reference Design

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CSD22206W P-Channel NexFET Power MOSFETs

Texas Instruments CSD22206W P-Channel NexFET Power MOSFETs is a –8V, 4.7mΩ, 1.5mm×1.5mm device that is designed to deliver low on-resistance and gate charge in a small package. The device provides the smallest outline possible with excellent thermal characteristics. The low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications.

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

TI P-Channel MOSFETs - 8-23-12

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。