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LMG1210RVRR

Name: Texas Instruments LMG1210RVRR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG1210RVRR
Price: 146.52 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

595-LMG1210RVRR

製造商編號：

LMG1210RVRR

製造商：

Texas Instruments

說明：

閘極驅動器 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRT

規格書:

LMG1210RVRR 規格書

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$146.52	NT$146.52
	NT$110.88	NT$1,108.80
	NT$101.88	NT$2,547.00
	NT$92.16	NT$9,216.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$92.16	NT$276,480.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

LMG1210RVRT

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

NT$227.88

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

LMG1210RVRT

說明：

閘極驅動器 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRR

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	閘極驅動器
RoHS:
產品:	MOSFET Gate Drivers
類型:	High-Side, Low-Side
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	WQFN-19
驅動器數:	2 Driver
輸出數:	2 Output
輸出電流:	3 A
電源電壓 - 最小值:	4.75 V
電源電壓 - 最大值:	18 V
上升時間:	500 ps
下降時間:	500 ps
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 125 C
系列:	LMG1210
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
組裝國家:	TH
擴散國:	US
原產國:	TH
邏輯類型:	TTL
最長斷開延遲時間:	18 ns
最長接通延遲時間:	18 ns
濕度敏感:	Yes
關閉時間 - 最大值:	18 ns
運作供電電流:	380 uA
輸出電壓:	5 V
產品類型:	Gate Drivers
傳輸延遲 - 最大值:	20 ns
Rds On - 漏-源電阻:	400 mOhms
原廠包裝數量:	3000
子類別:	PMIC - Power Management ICs
技術:	GaN
公司名稱:	GaN
每件重量:	26.800 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

LMG1210RVRR 規格書

Application Notes

Models

LMG1210RVRR Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

Product Change notification (PDF)

SPICE Models

Technical Resources

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG1210 200V Half-Bridge MOSFET & GaN FET Drivers

Texas Instruments LMG1210 200V Half-Bridge MOSFET and Gallium Nitride Field Effect Transistor (GaN FET) Drivers are designed for ultra-high frequency and high-efficiency applications. The device is ideal for applications with adjustable deadtime capability, very small propagation delay, and 3.4ns high-side low-side matching to optimize system efficiency. The LMG1210 MOSFET and GaN FET Drivers offer an internal LDO, which ensures a gate-drive voltage of 5V regardless of the supply voltage.