+886-2-2799-2096

TTI Family of Specialists旗下成員聯絡Mouser (台北) +886-2-2799-2096 意見回應

更改位置

庫存量

RoHS

登入
新客戶？在此處開始
登入
新客戶？在此處開始

訂單記錄

製造商	製造商編號：	數量	合并总计

瀏覽購物車

似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

發現錯誤嗎?

NSVMUN2132T1G

Name: onsemi NSVMUN2132T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVMUN2132T1G
Price: 7.92 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

863-NSVMUN2132T1G

製造商編號：

NSVMUN2132T1G

製造商：

onsemi

說明：

數位電晶體 SS SC59 BR XSTR PNP 50V

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

NSVMUN2132T1G 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於onsemi NSVMUN2132T1G的資訊

庫存量: 14,840

庫存：: 14,840 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 8 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$7.92	NT$7.92
	NT$7.34	NT$73.40
	NT$5.18	NT$518.00
	NT$3.24	NT$1,620.00
	NT$2.70	NT$2,700.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$1.55	NT$4,650.00
	NT$1.37	NT$8,220.00
	NT$1.19	NT$10,710.00
	NT$0.936	NT$22,464.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	數位電晶體
RoHS:
配置:	Single
晶體管極性:	PNP
標準輸入電阻器:	4.7 kOhms
標準電阻比:	1.0
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SC-59
直流集電極/增益 hfe 最小值:	15
集電極-發射極最大電壓VCEO:	50 VDC
連續集電極電流:	100 mA
Pd - 功率消耗 :	338 mW
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
系列:	MUN2132
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	onsemi
通道模式:	Enhancement
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
集電極最大直流電流:	100 mA
工作溫度範圍:	- 55 C to + 150 C
輸出電壓:	4.9 V
產品類型:	Digital Transistors
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NSVMUN2132T1G 規格書

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

NPN Bipolar Digital Transistors

onsemi NPN Bipolar Digital Transistors are monolithic bias resistor networks designed to replace a single device and its external resistor bias network. These Bias Resistor Transistors (BRTs) are composed of two resistors: a series base resistor (22kΩ) and a base-emitter resistor (47kΩ). The BRT eliminates individual components and integrates them into a single device. This BRT is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. The BRT is Pb and halogen/BFR-free and RoHS compliant. Typical applications include reverse battery protection, DC-DC converter output driver, and high-speed switching.