UG4SC075005L8S

Name: onsemi UG4SC075005L8S
Brand: onsemi
SKU: 772-UG4SC075005L8S
Price: 1878.12 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

772-UG4SC075005L8S

製造商編號：

UG4SC075005L8S

製造商：

onsemi

說明：

JFET UG4SC075005L8S

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

UG4SC075005L8S 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於onsemi UG4SC075005L8S的資訊

庫存量: 1,727

庫存：: 1,727 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 28 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

此產品已報告長備貨期。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$1,878.12	NT$1,878.12
	NT$1,627.20	NT$16,272.00
	NT$1,571.76	NT$157,176.00
	NT$1,571.04	NT$785,520.00
	NT$1,570.32	NT$1,570,320.00
完整捲（訂購多個2000）
	NT$1,405.80	NT$2,811,600.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	JFET
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	MO-229-8
晶體管極性:	N-Channel
配置:	Single
Vds - 漏-源擊穿電壓:	750 V
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	- 30 V to 30 V
Vgs=0 時的漏極-源極電流:	6 uA
Id - C連續漏極電流:	120 A
Rds On - 漏-源電阻:	5 mOhms
Pd - 功率消耗 :	1.153 kW
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	UG4S
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	onsemi
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
產品類型:	JFETs
原廠包裝數量:	2000
子類別:	Transistors

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

UG4SC075005L8S 規格書

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Combo-FETs

onsemi Combo-FETs are revolutionary devices that combine a low R_DS(on) onsemi SiC JFET with a Si MOSFET in a single, compact package. Explicitly designed for low-frequency protection applications, such as solid-state circuit breakers, battery disconnects, and surge protection, these Combo-FETs allow users access to the JFET gate to optimize the design. Integrating the Si MOSFET in these onsemi Combo-FETs ensures a normally off solution, achieving a size reduction of over 25% compared to discrete implementations.

UG4SC 750V 8.4mΩ組合FET

安森美 (onsemi)的UG4SC 750V 8.4mΩ組合FET將750V SiC JFET和低壓Si MOSFET整合於單一TO-247-4L封裝中。此設計可實現常閉開關，同時可利用常開SiC JFET的超低導通電阻 [R_DS(on)] 和we穩健性。安森美 (onsemi) 的UG4SC組合FET系列非常適合用於電路保護中的高能量開關。對於開關模式電源轉換，這些裝置為JFET和MOSFET提供獨立的閘極存取，從而提高速度控制並簡化多個裝置的並聯。