NVXK2VR80WDT2

Name: onsemi NVXK2VR80WDT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2VR80WDT2
Price: 1959.84 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NVXK2VR80WDT2

製造商編號：

NVXK2VR80WDT2

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET模組 APM32 SIC POWER MODULE

壽命週期:

Mouser新產品

規格書:

NVXK2VR80WDT2 規格書

ECAD模型:

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$1,959.84	NT$1,959.84
	NT$1,629.00	NT$16,290.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	APM-32
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	6 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	20 A
Rds On - 漏-源電阻:	116 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.3 V
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	82 W
系列:	NVXK2VR80WDT2
封裝:	Tube
品牌:	onsemi
配置:	3-Phase Bridge
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
下降時間:	9 ns
高度:	5.8 mm
長度:	44.2 mm
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	12 ns
原廠包裝數量:	10
子類別:	Discrete and Power Modules
類型:	Power Module
標準斷開延遲時間:	21 ns
標準開啟延遲時間:	12 ns
寬度:	29 mm

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NVXK2VR80WDT2 規格書

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules are 1200V, 80mΩ 3-phase bridge power modules housed in a Dual Inline Package (DIP). These SiC modules are compactly designed to have low total module resistance. The NVXK2VR80WxT2 power modules are automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. These power modules are lead-free and ROHS, UL94V-0 compliant. The NVXK2VR80WxT2 SiC modules' temperature sensing and the lowest thermal resistance make them ideal for PFC onboard chargers in xEV applications.