PN2222 雙極結晶體管 - BJT

結果: 35
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 配置 集電極最大直流電流 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-基極電壓VCBO 發射機-基極電壓VEBO 集電極-發射極飽和電壓 Pd - 功率消耗 增益帶寬積 fT 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
Micro Commercial Components (MCC) 雙極結晶體管 - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6Vebo 600mA 625mW 11,063庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
Central Semiconductor 雙極結晶體管 - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 10,000
倍數: 2,000
: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
Central Semiconductor 雙極結晶體管 - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 10,000
倍數: 2,000
: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
onsemi / Fairchild 雙極結晶體管 - BJT TO-92 不可用
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild 雙極結晶體管 - BJT TO-92 不可用
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222
onsemi / Fairchild 雙極結晶體管 - BJT TO-92 不可用
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
onsemi / Fairchild 雙極結晶體管 - BJT NPN General Purpose Transistor 不可用

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild 雙極結晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose 不可用
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi 雙極結晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
Toshiba PN2222BU
Toshiba 雙極結晶體管 - BJT N/A
Si NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222