似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

BSC072N04LDATMA1

Name: Infineon BSC072N04LDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC072N04LDATMA1
Price: 62.28 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

726-BSC072N04LDATMA1

製造商編號：

BSC072N04LDATMA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

MOSFET IFX FET 40V

規格書:

BSC072N04LDATMA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Infineon Technologies BSC072N04LDATMA1的資訊

庫存量: 24,278

庫存：: 24,278

可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
在途量:: 20,000
工廠前置作業時間：: 12

週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個5000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$62.28	NT$62.28
	NT$39.60	NT$396.00
	NT$26.50	NT$2,650.00
	NT$20.92	NT$10,460.00
	NT$18.94	NT$18,940.00
	NT$18.90	NT$47,250.00
完整捲（訂購多個5000）
	NT$17.68	NT$88,400.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TDSON-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	40 V
Id - C連續漏極電流:	20 A
Rds On - 漏-源電阻:	7.2 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 16 V, 16 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.2 V
Qg - 閘極充電:	52 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	65 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Dual
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	MY
下降時間:	25 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	4 ns
系列:	BSC072N04
原廠包裝數量:	5000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	2 N-Channel
標準斷開延遲時間:	50 ns
標準開啟延遲時間:	9 ns
零件號別名:	BSC072N04LD SP002594350

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

BSC072N04LDATMA1 規格書 (PDF)

Product Catalogs

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ Dual-Channel Super Cool Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Dual-Channel Super Cool Power MOSFETs are N-channel power transistors in a SuperSO8 package with dual-cool capability for enhanced thermal performance. The Infineon OptiMOS Power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density, and cost-effectiveness. These devices feature low on-state resistance (R_DS(on)) and low reverse recovery charge (Q_rr), increasing power density while improving robustness and system reliability. The +175°C rating facilitates designs with either more power at a higher operating junction temperature or a longer lifetime at the same operating junction temperature.