CDF56G6511N TR13 PBFREE

Central Semiconductor
610-CDF56G6511NTR13P
CDF56G6511N TR13 PBFREE

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 650V, 11A, N-Channel GaN FET

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$176.76 NT$176.76
NT$137.52 NT$1,375.20
NT$99.00 NT$9,900.00
NT$96.48 NT$48,240.00
NT$91.44 NT$91,440.00
完整捲（訂購多個2500）
NT$78.48 NT$196,200.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Central Semiconductor
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
11.5 A
190 mOhms
- 1.4 V, + 7 V
2.5 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
84 W
Depletion
品牌: Central Semiconductor
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 4 ns
最大工作頻率: 100 kHz
最低工作頻率: 0 Hz
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品類型: GaN FETs
上升時間: 4 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
技術: GaN
標準斷開延遲時間: 1.7 ns
標準開啟延遲時間: 1.4 ns
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

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