CDF56G7032N TR13 PBFREE

Name: Central Semiconductor CDF56G7032N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CD56G7032NTR13PB
Price: 244.44 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

610-CD56G7032NTR13PB

製造商編號：

CDF56G7032N TR13 PBFREE

製造商：

Central Semiconductor

說明：

氮化鎵場效應管 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

CDF56G7032N TR13 PBFREE 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Central Semiconductor CDF56G7032N TR13 PBFREE的資訊

庫存量: 2,468

庫存：: 2,468 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$244.44	NT$244.44
	NT$164.88	NT$1,648.80
	NT$121.68	NT$12,168.00
完整捲（訂購多個2500）
	NT$99.00	NT$247,500.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Central Semiconductor
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DFN-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	700 V
Id - C連續漏極電流:	18 A
Rds On - 漏-源電阻:	140 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	3.5 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 155 C
Pd - 功率消耗 :	113 W
通道模式:	Depletion
品牌:	Central Semiconductor
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
下降時間:	6 ns
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品:	Field Effect Transistors
產品類型:	GaN FETs
上升時間:	5 ns
系列:	GaN FETs
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	1 N-Channel
類型:	Power FET
標準斷開延遲時間:	4 ns
標準開啟延遲時間:	3 ns

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

CDF56G7032N TR13 PBFREE 規格書 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low R_DS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.