DIF120SIC022

Diotec Semiconductor
637-DIF120SIC022
DIF120SIC022

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C

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新產品:
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$1,045.80 NT$1,045.80
NT$681.48 NT$6,814.80
NT$673.20 NT$343,332.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Diotec Semiconductor
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
120 A
22.3 mOhms
- 4 V, + 18 V
4 V
269 nC
- 55 C
+ 175 C
340 W
Enhancement
DIF120SIC022
品牌: Diotec Semiconductor
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 35 ns
互導 - 最小值: 41.5 S
產品: MOSFETs
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 38 ns
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 108 ns
標準開啟延遲時間: 150 ns
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.

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