FFSH2065BDN-F085

onsemi
863-FFSH2065BDN-F085
FFSH2065BDN-F085

製造商：

說明：
碳化矽肖特基二極管 650V 20A SIC SBD

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$341.28 NT$341.28
NT$200.88 NT$2,008.80
NT$176.40 NT$21,168.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
Dual Anode Common Cathode
20 A
650 V
1.38 V
42 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSH2065BDN_F085
AEC-Q101
Tube
品牌: onsemi
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
Pd - 功率消耗 : 65 W
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 30
子類別: Diodes & Rectifiers
公司名稱: EliteSiC
Vr - 反向電壓: 650 V
每件重量: 5.457 g
找到產品:
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所選屬性: 0

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

FFSPx065BDN-F085 Automotive SiC Schottky Diodes

onsemi FFSPx065BDN-F085 Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are AEC-Q101-qualified devices designed to leverage the advantages of Silicon Carbide (Si) over Silicon. The FFSPx065BDN-F085 SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also offer temperature-independent switching and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size/cost.

寬能隙碳化矽裝置

與矽裝置相比，安森美(onsemi)寬能隙 (WBG) 碳化矽 (SiC) 裝置採用全新技術，可提供出色的開關性能及更高的可靠性。該系統的優勢包括：提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸和成本。onsemi的碳化矽產品系列包括650V和1200V二極體、650V和1200V IGBT以及碳化矽二極體功率整合模組 (PIM)、1200V MOSFET和碳化矽MOSFET驅動器以及符合AEC-Q100標準的裝置。

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V SiC肖特基二極體

安森美 (onsemi) 650 V SiC肖特基二極體為基於矽的裝置提供卓越的開關性能及更高的可靠性。這些SiC肖特基二極體無反向恢復電流，具有溫度獨立開關及卓越的熱性能。該系統的優勢包括：提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸和成本。

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