GCMX005A120S3B1-N

SemiQ
148-GCMX005A120S3B1N
GCMX005A120S3B1-N

製造商：

說明：
MOSFET模組 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於SemiQ GCMX005A120S3B1-N的資訊

供貨情況

庫存：
暫無庫存
工廠前置作業時間：
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:
此產品免費航運

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$6,996.24 NT$6,996.24
NT$6,378.48 NT$63,784.80
105 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
SemiQ
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
SiC
Screw Mount
S3
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
424 A
7 mOhms
- 5 V, + 20 V
4 V
- 40 C
+ 150 C
1.531 kW
GCMX
Bulk
品牌: SemiQ
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 24 ns
高度: 30.9 mm
長度: 106.4 mm
產品: Modules
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 18 ns
原廠包裝數量: 15
子類別: Discrete and Power Modules
類型: Half Bridge Module
標準斷開延遲時間: 114 ns
標準開啟延遲時間: 65 ns
Vf - 順向電壓: 4 V
寬度: 61.4 mm
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模組

SemiQ GCMX 1200 V SiC MOSFET半橋模組具有低開關損耗、低結至外殼熱阻，並且非常堅固且易於安裝。這些模組直接安裝散熱片（隔離封裝）並包含開爾文基準以確保穩定運作。所有零件均經過嚴格測試，可承受1350V以上的電壓。這些模組的突出特點是穩健的1200V漏源電壓。GCMX半橋模組的工作結溫為175°C，並符合RoHS標準。典型應用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能系統和高壓DC-DC轉換器。

GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET

SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET offers enhanced design flexibility and performance in current applications. The QSiC MOSFET operates with near-zero switching loss, increasing efficiency while reducing heat dissipation and the need for large heatsinks. Standing at 26.3mm in height with an industry-standard 62mm footprint, this module addresses the size, weight, and power demands of challenging applications. SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC MOSFET features a 400A current rating and is suitable for induction heaters, welding equipment, and uninterruptible power supplies (UPS).

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。