GCMX010A120B3H1P

Name: SemiQ GCMX010A120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX010A120B3H1P
Price: 4891.32 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

148-GCMX010A120B3H1P

製造商編號：

GCMX010A120B3H1P

製造商：

SemiQ

說明：

MOSFET模組 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

GCMX010A120B3H1P 規格書 (PDF)

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$4,891.32	NT$4,891.32
	NT$4,256.64	NT$42,566.40
	NT$4,034.52	NT$403,452.00
500	報價

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	SemiQ
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Press Fit
封裝/外殼:	B3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	4 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	201 A
Rds On - 漏-源電阻:	8.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	600 W
系列:	GCMX
封裝:	Bulk
品牌:	SemiQ
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
下降時間:	15 ns
高度:	15.2 mm
長度:	62.8 mm
產品:	Modules
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	9 ns
原廠包裝數量:	20
子類別:	Discrete and Power Modules
類型:	Full Bridge Module
標準斷開延遲時間:	50 ns
標準開啟延遲時間:	32 ns
Vf - 順向電壓:	3.9 V
寬度:	56.7 mm

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所選屬性: 0

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規格書

GCMX010A120B3H1P 規格書 (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GCMX 1200V SiC MOSFET全橋模組

SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET全橋模組具有低開關損耗、低結至外殼熱阻，並且非常堅固且易於安裝。這些模組直接安裝散熱片（隔離封裝）並包含開爾文基準以確保穩定運作。所有零件均經過嚴格測試，可承受1350V以上的電壓。這些模組的標誌特徵是穩健的1200V漏源電壓。GCMX全橋模組的工作結溫為175°C，並符合RoHS標準。典型應用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能係統和高壓DC-DC轉換器。