GP2T040A120J

SemiQ
148-GP2T040A120J
GP2T040A120J

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於SemiQ GP2T040A120J的資訊

庫存量: 25

庫存：
25 可立即送貨
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$424.80 NT$424.80
NT$332.28 NT$3,322.80
NT$276.48 NT$27,648.00
NT$246.60 NT$123,300.00
NT$230.40 NT$230,400.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
SemiQ
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
66 A
38 mOhms
- 10 V, + 25 V
4 V
112 nC
- 55 C
+ 175 C
357 W
Enhancement
品牌: SemiQ
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: PH
下降時間: 12 ns
互導 - 最小值: 16 S
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 5 ns
系列: GP2T020A120
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 28 ns
標準開啟延遲時間: 14 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。