似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

IQEH68NE2LM7UCGATMA1

Name: Infineon IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH68NE2LM7UCGA
Price: 101.88 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

726-IQEH68NE2LM7UCGA

製造商編號：

IQEH68NE2LM7UCGATMA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Infineon Technologies IQEH68NE2LM7UCGATMA1的資訊

庫存量: 3,980

庫存：: 3,980 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 19 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$101.88	NT$101.88
	NT$66.24	NT$662.40
	NT$45.36	NT$4,536.00
	NT$37.08	NT$18,540.00
	NT$35.24	NT$35,240.00
	NT$34.99	NT$87,475.00
完整捲（訂購多個5000）
	NT$33.34	NT$166,700.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	25 V
Id - C連續漏極電流:	338 A
Rds On - 漏-源電阻:	680 uOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	16 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2 V
Qg - 閘極充電:	22 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	130 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	OptiMOS
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	AT
下降時間:	5.1 ns
互導 - 最小值:	50 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	17 ns
系列:	OptiMOS 7
原廠包裝數量:	5000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	24 ns
標準開啟延遲時間:	7.7 ns
零件號別名:	IQEH68NE2LM7UCG SP005960141

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 規格書 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.