IS66WVE2M16EALL-70BLI

ISSI
870-E2M16EALL70BLI
IS66WVE2M16EALL-70BLI

製造商：

說明：
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於ISSI IS66WVE2M16EALL-70BLI的資訊

庫存量: 310

庫存：
310 可立即送貨
工廠前置作業時間：
12 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1   上限： 200
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$278.64 NT$278.64
NT$259.20 NT$2,592.00
NT$251.28 NT$6,282.00
NT$245.52 NT$12,276.00
NT$239.76 NT$23,976.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ISSI
產品類型: SRAM
RoHS:  
32 Mbit
2 M x 16
70 ns
Parallel
1.95 V
1.7 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
品牌: ISSI
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW, CN
濕度敏感: Yes
產品類型: SRAM
系列: IS66WVE2M16EALL
原廠包裝數量: 480
子類別: Memory & Data Storage
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。