IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

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Mouser 編號：

870-VQ16M4DBLL200BLI

製造商編號：

IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

製造商：

ISSI

說明：

DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

壽命週期:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ISSI
產品類型:	DRAM
送貨限制:	Mouser目前不在您的地區出售本產品。
RoHS:
類型:	SDRAM
存儲容量:	64 Mbit
最高時鐘頻率:	200 MHz
封裝/外殼:	TFBGA-24
電源電壓 - 最小值:	2.7 V
電源電壓 - 最大值:	3.6 V
品牌:	ISSI
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	TW, CN
濕度敏感:	Yes
安裝風格:	SMD/SMT
產品類型:	DRAM
原廠包裝數量:	480
子類別:	Memory & Data Storage

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所選屬性: 0

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Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.