KTDM4G3C818BGCEAT

Name: SMART KTDM4G3C818BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C818BGCEAT
Price: 420.84 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

473-M4G3C818BGCEAT

製造商編號：

KTDM4G3C818BGCEAT

製造商：

SMARTsemi

說明：

DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Commercial

規格書:

KTDM4G3C818BGCEAT 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於SMARTsemi KTDM4G3C818BGCEAT的資訊

庫存量: 210

庫存：: 210 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。

數量超過210會受到最小訂單要求的限制。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$420.84	NT$420.84
	NT$390.96	NT$3,909.60
	NT$379.08	NT$9,477.00
	NT$370.08	NT$18,504.00
	NT$360.72	NT$36,072.00
	NT$349.20	NT$73,332.00
	NT$340.20	NT$142,884.00
	NT$331.56	NT$348,138.00
2,520	報價

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	SMART
產品類型:	DRAM
RoHS:
類型:	SDRAM - DDR3L
存儲容量:	4 Gbit
數據匯流排寬度:	8 bit
最高時鐘頻率:	933 MHz
封裝/外殼:	FBGA-78
組織:	512 M x 8
電源電壓 - 最小值:	1.283 V
電源電壓 - 最大值:	1.575 V
最低工作溫度:	0 C
最高工作溫度:	+ 85 C
系列:	KTDM
封裝:	Tray
品牌:	SMARTsemi
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	TW, CN
濕度敏感:	Yes
安裝風格:	SMD/SMT
產品類型:	DRAM
原廠包裝數量:	210
子類別:	Memory & Data Storage

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

KTDM4G3C818BGCEAT 規格書 (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.