KTDM4G4B826BGIEAT

SMARTsemi
473-M4G4B826BGIEAT
KTDM4G4B826BGIEAT

製造商：

說明：
DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Industrial

規格書:
ECAD模型:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
SMART
產品類型: DRAM
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RoHS:  
SDRAM - DDR4
4 Gbit
8 bit
1.333 GHz
FBGA-78
512 M x 8
1.14 V
1.26 V
- 40 C
+ 85 C
KTDM
Tray
品牌: SMARTsemi
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW, CN
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 210
子類別: Memory & Data Storage
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所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).

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