+886-2-2799-2096

TTI Family of Specialists旗下成員聯絡Mouser (台北) +886-2-2799-2096 意見回應

更改位置

庫存量

RoHS

登入
新客戶？在此處開始
登入
新客戶？在此處開始

訂單記錄

製造商	製造商編號：	數量	合并总计

瀏覽購物車

似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

返回至搜尋結果

發現錯誤嗎?

MR4A08BCMA35

Name: Everspin Technologies MR4A08BCMA35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR4A08BCMA35
Price: 2416.68 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

936-MR4A08BCMA35

製造商編號：

MR4A08BCMA35

製造商：

Everspin Technologies

說明：

MRAM 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM

規格書:

MR4A08BCMA35 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Everspin Technologies MR4A08BCMA35的資訊

庫存量: 470

庫存：: 470 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 27 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$2,416.68	NT$2,416.68
	NT$2,232.00	NT$22,320.00
	NT$2,159.28	NT$53,982.00
	NT$2,105.28	NT$105,264.00
	NT$2,076.12	NT$207,612.00
240	報價

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Everspin Technologies
產品類型:	MRAM
RoHS:
封裝/外殼:	BGA-48
接口類型:	Parallel
存儲容量:	16 Mbit
組織:	2 M x 8
數據匯流排寬度:	8 bit
存取時間:	35 ns
電源電壓 - 最小值:	3 V
電源電壓 - 最大值:	3.6 V
運作供電電流:	60 mA, 152 mA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
系列:	MR4A08B
封裝:	Tray
品牌:	Everspin Technologies
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	TW
濕度敏感:	Yes
安裝風格:	SMD/SMT
Pd - 功率消耗 :	600 mW
產品類型:	MRAM
原廠包裝數量:	240
子類別:	Memory & Data Storage
公司名稱:	Parallel I/O (x8)

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

MR4A08BCMA35 規格書 (PDF)

PCN

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 854232031
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.