NTH4L022N120M3S

Name: onsemi NTH4L022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L022N120M3S
Price: 670.68 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NTH4L022N120M3S

製造商編號：

NTH4L022N120M3S

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1

規格書:

NTH4L022N120M3S 規格書

ECAD模型:

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$670.68	NT$670.68
	NT$447.84	NT$4,478.40

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	68 A
Rds On - 漏-源電阻:	30 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.4 V
Qg - 閘極充電:	151 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	352 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	EliteSiC
品牌:	onsemi
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
下降時間:	13 ns
互導 - 最小值:	34 S
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	24 ns
系列:	NTH4L022N120M3S
原廠包裝數量:	450
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	48 ns
標準開啟延遲時間:	18 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NTH4L022N120M3S 規格書

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

M3S 1200V SiC MOSFET

安森美 (onsemi) M3S 1200V碳化矽 (SiC) MOSFET針對快速切換應用最佳化。裝置採用平面技術，能在負閘極電壓驅動器及閘極的關斷突增下可靠運作。安森美M3S 1200V MOSFET以18V閘極驅動執行驅動時可提供最佳效能，但也適用於15V閘極驅動。M3S提供低切換耗損，採用TO247-4LD封裝，可實現低共源電感。

NTH4L022N120M3S碳化矽(SiC) MOSFET

onsemi NTH4L022N120M3S M3S碳化矽(SiC) MOSFET是具有1200V M3S平面SiC MOSFET的系列產品。onsemi NTH4L022N120M3S針對快速切換應用進行了優化。平面技術可透過負柵極電壓驅動實現，並在柵極上關閉尖峰。這些MOSFET在採用18V柵極驅動時具有最佳性能，同時還可充分利用15V柵極驅動。