NTMFS2D3N04XMT1G

onsemi
863-NTMFS2D3N04XMT1G
NTMFS2D3N04XMT1G

製造商：

說明：
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$56.88 NT$56.88
NT$36.36 NT$363.60
NT$24.05 NT$2,405.00
NT$18.94 NT$9,470.00
NT$17.57 NT$17,570.00
完整捲（訂購多個1500）
NT$16.78 NT$25,170.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
111 A
2.35 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
22.1 nC
- 55 C
+ 175 C
53 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
品牌: onsemi
配置: Single
組裝國家: MY
擴散國: JP
原產國: MY
下降時間: 4.69 ns
互導 - 最小值: 89.2 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 5.19 ns
系列: NTMFS2D3N04XM
原廠包裝數量: 1500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 22.2 ns
標準開啟延遲時間: 15.8 ns
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所選屬性: 0

規格書

PCN

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PowerTrench技術

安森美 (onsemi) PowerTrench技術代表了PowerTrench技術的進步，特別是從T6到T10的转变標誌著電力電子技術的突破。PowerTrench MOSFET由安森美 (onsemi) 開發，可在各種應用中提供更高的效率与效能。從T6/T8到T10的轉換大幅改善了導通電阻和開關性能，這對於節能設計而言至關重要。

40V功率MOSFET

安森美 (onsemi)  40V功率MOSFET 採用標準閘級技術，並擁有一流的導通電阻。安森美 (onsemi) MOSFET適用於發動機驅動器應用。這些器件可有效將導通和驅動損耗降至最低，具備較低的導通電阻和減少的閘極電荷。此外，MOSFET對於晶體二極體的反向恢復具有出色的軟度控制，可有效減輕電壓尖峰應力，無需在應用中額外設置阻尼電路。

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