NTMFS2D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFS2D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS2D5N08XT1G
Price: 99 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

863-NTMFS2D5N08XT1G

製造商編號：

NTMFS2D5N08XT1G

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

規格書:

NTMFS2D5N08XT1G 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於onsemi NTMFS2D5N08XT1G的資訊

庫存量: 5,829

庫存：: 5,829 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 24 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

此產品已報告長備貨期。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$99.00	NT$99.00
	NT$64.08	NT$640.80
	NT$44.28	NT$4,428.00
	NT$35.86	NT$17,930.00
	NT$33.48	NT$33,480.00
完整捲（訂購多個1500）
	NT$33.48	NT$50,220.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DFN-5
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	80 V
Id - C連續漏極電流:	181 A
Rds On - 漏-源電阻:	2.1 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.6 V
Qg - 閘極充電:	53 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	148 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	onsemi
配置:	Single
組裝國家:	MY
擴散國:	JP
原產國:	MY
下降時間:	8 ns
互導 - 最小值:	135 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	9 ns
系列:	NTMFS2D5N08X
原廠包裝數量:	1500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	38 ns
標準開啟延遲時間:	26 ns

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NTMFS2D5N08XT1G 規格書

PCN

Product Change Notification 2025-2-27 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

PowerTrench技術

安森美 (onsemi) PowerTrench技術代表了PowerTrench技術的進步，特別是從T6到T10的转变標誌著電力電子技術的突破。PowerTrench MOSFET由安森美 (onsemi) 開發，可在各種應用中提供更高的效率与效能。從T6/T8到T10的轉換大幅改善了導通電阻和開關性能，這對於節能設計而言至關重要。

雲端電源管理解決方案

安森美 (onsemi) 雲端電源管理解決方案為基礎設施提供基礎運算及連接功能，對於處理器、記憶庫以及無線基地台的供電而言至關重要。隨著作業轉移至雲端，效率和可靠性的重要性日益提升。AI伺服器尤其需要可靠的電源以確保最佳效能和效率，因此對於AI驅動的作業而言，安森美解決方案對於保持其完整性和功能性極為關鍵。安森美提供各種AC/DC轉換、多相轉換、負載點電源和熱插拔保護解決方案，可滿足雲端基礎設施的不同電源需求。憑藉其尖端科技、可靠的性能以及深厚的應用專業知識，不論是對於現代的基地台、伺服器或資料中心，安森美都是能滿足供電需求的理想夥伴。

40V功率MOSFET

安森美 (onsemi) 40V功率MOSFET 採用標準閘級技術，並擁有一流的導通電阻。安森美 (onsemi) MOSFET適用於發動機驅動器應用。這些器件可有效將導通和驅動損耗降至最低，具備較低的導通電阻和減少的閘極電荷。此外，MOSFET對於晶體二極體的反向恢復具有出色的軟度控制，可有效減輕電壓尖峰應力，無需在應用中額外設置阻尼電路。