RQ3G120BJFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RQ3G120BJFRATCB
RQ3G120BJFRATCB

製造商：

說明：
MOSFET Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$56.88 NT$56.88
NT$35.78 NT$357.80
NT$23.87 NT$2,387.00
NT$18.83 NT$9,415.00
NT$17.14 NT$17,140.00
完整捲（訂購多個3000）
NT$15.55 NT$46,650.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSMT-8
P-Channel
1 Channel
40 V
12 A
48 mOhms
- 20 V, 5 V
2.5 V
15.5 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: JP
下降時間: 9.8 ns
互導 - 最小值: 6.5 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 4.7 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 36 ns
標準開啟延遲時間: 6.7 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

Specification Sheets

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RQ3xFRATCB功率MOSFET

ROHM Semiconductor  RQ3xFRATCB功率MOSFET是一款通過AEC-Q101認證的汽車級MOSFET。這些MOSFET具有-40V至100V漏源電壓範圍、8個端子、高達69W功耗以及 ±12A 至 ±27A連續漏極電流。RQ3xFRATCB功率MOSFET配有N通道和P通道版本。這些功率MOSFET採用小型3.3mm x 3.3mm HSMT8AG封裝。RQ3xFRATCB功率MOSFET非常適合高級駕駛輔助系統(ADAS)、資訊娛樂系統、照明和車身。

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

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