SCT012W90G3-4AG

STMicroelectronics
511-SCT012W90G3-4AG
SCT012W90G3-4AG

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$746.64 NT$746.64
NT$487.08 NT$4,870.80

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP247-3
N-Channel
1 Channel
900 V
110 A
15.8 mOhms
- 10 V, + 22 V
3.1 V
138 nC
- 55 C
+ 200 C
625 W
Enhancement
AEC-Q101
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
組裝國家: IT
擴散國: Not Available
原產國: IT
下降時間: 16 ns
封裝: Tube
產品: SiC MOSFETS
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 43 ns
原廠包裝數量: 1
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 41 ns
標準開啟延遲時間: 20 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

PCN

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

汽車級碳化矽功率 MOSFET

STMicroelectronics 汽車級碳化矽功率MOSFET 採用ST 先進及創新的第二代／第三代SiC MOSFET技術開發。這些裝置 的單位面積導通電阻低，開關 性能非常好。這些MOSFET具有非常高的操作溫度能力 (TJ=200°C)，以及非常快速且堅固的本征體二極管。

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