SCT020W120G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT020W120G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT020W120G3-4AG
Price: 680.4 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-SCT020W120G3-4AG

製造商編號：

SCT020W120G3-4AG

製造商：

STMicroelectronics

說明：

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

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規格書:

SCT020W120G3-4AG 規格書 (PDF)

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	NT$680.40	NT$680.40
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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	Hip247-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	100 A
Rds On - 漏-源電阻:	28 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	121 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 200 C
Pd - 功率消耗 :	541 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
下降時間:	22 ns
封裝:	Tube
產品:	SiC MOSFETS
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	9 ns
原廠包裝數量:	600
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	47 ns
標準開啟延遲時間:	21 ns

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規格書

SCT020W120G3-4AG 規格書 (PDF)

PCN

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
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SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC Power MOSFETs

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC (Silicon Carbide) Power MOSFET features minimal ON-resistance and excellent switching performance, almost independent of temperature, due to the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SCTW70N120G2V also offers a high-speed, robust intrinsic body diode and extremely low gate charge and input capacities. A high-temperature rating of +200°C enables the improved thermal design of power electronics systems.

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