SISF02DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF02DN-T1-GE3
SISF02DN-T1-GE3

製造商：

說明：
MOSFET PPAK1212 2NCH 25V 30.5A

規格書:
ECAD模型:
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最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$87.48 NT$87.48
NT$49.68 NT$496.80
NT$37.08 NT$3,708.00
完整彈藥背包（訂購多個3000）
NT$32.62 NT$97,860.00
NT$23.11 NT$138,660.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
2.15 mOhms
- 16 V, 20 V
1.1 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
PowerPAK
Ammo Pack
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 10 ns
互導 - 最小值: 105 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 17 ns
系列: SISF
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 25 ns
標準開啟延遲時間: 24 ns
每件重量: 1 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

整合式MOSFET解決方案

Vishay整合式MOSFET解決方案將多項元件整合至單一晶片，使其擁有更高的功率密度和效率，設計更簡化，而且還能減少材料清單 (BOM) 成本。這些單晶和多晶MOSFET整合了蕭特基二極體與ESD防護等功能。這些MOSFET具備低導通電阻的N和P通道TrenchFET®技術，以及低熱阻。

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