STGB30H60DFB

Name: STMicroelectronics STGB30H60DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB30H60DFB
Price: 118.44 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STGB30H60DFB

製造商編號：

STGB30H60DFB

製造商：

STMicroelectronics

說明：

IGBT Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

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規格書:

STGB30H60DFB 規格書 (PDF)

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$118.44	NT$118.44
	NT$115.20	NT$1,152.00
	NT$89.28	NT$8,928.00
	NT$81.72	NT$40,860.00
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	D2PAK-3
安裝風格:	SMD/SMT
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	600 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.55 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	60 A
Pd - 功率消耗 :	260 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	STGB30H60DFB
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic :	60 A
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
柵射極漏電電流:	250 nA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	1000
子類別:	IGBTs
每件重量:	1.380 g

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所選屬性: 0

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規格書

STGB30H60DFB 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

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