STP80N1K1K6

Name: STMicroelectronics STP80N1K1K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N1K1K6
Price: 85.68 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STP80N1K1K6

製造商編號：

STP80N1K1K6

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

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規格書:

STP80N1K1K6 規格書 (PDF)

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$85.68	NT$85.68
	NT$55.44	NT$554.40
	NT$37.80	NT$3,780.00
	NT$30.10	NT$15,050.00
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	NT$27.50	NT$55,000.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
產品類型:	MOSFETs
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
每件重量:	2 g

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STP80N1K1K6 規格書 (PDF)

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ECCN:: EAR99

STP80N1K1K6 N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Channel Power MOSFET uses MDmesh K6 technology, leveraging 20 years of experience in super junction technology. The STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET offers top-notch on-resistance per area and gate charge. The device is ideal for high-power density and efficient applications.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.