STW65N023M9-4

STMicroelectronics
511-STW65N023M9-4
STW65N023M9-4

製造商：

說明：
MOSFET N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$620.28 NT$620.28
NT$390.60 NT$3,906.00
NT$390.24 NT$46,828.80
NT$389.88 NT$198,838.80
NT$354.96 NT$362,059.20

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
95 A
23 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
230 nC
- 55 C
+ 150 C
463 W
Enhancement
Tube
品牌: STMicroelectronics
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
產品類型: MOSFETs
系列: MDmesh M9
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
每件重量: 6.080 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

PCN

SPICE Models

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M9功率MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具備強化裝置結構、低導通電阻和低閘極電荷值。這些功率MOSFET具有高反向二極體dv/dt和MOSFET dv/dt耐用性、高功率密度和低傳導耗損。MDmesh M9功率MOSFET亦具有高開關速度、高效率和低開關功率耗損。這些功率MOSFET採用創新的高電壓超接面技術設計，可提供令人印象深刻的品質因數 (FoM)。高FoM可實現更高的功率等級和密度，進而使解決方案達到更輕巧的尺寸。其典型應用包括伺服器、電信資料中心、5G電力站、微型逆變器和快速充電器。

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