T2G6003028-FL

Name: Qorvo T2G6003028-FL
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G6003028-FL
Price: 11343.6 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

772-T2G6003028-FL

製造商編號：

T2G6003028-FL

製造商：

Qorvo

說明：

氮化鎵場效應管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged

規格書:

T2G6003028-FL 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Qorvo T2G6003028-FL的資訊

庫存量: 53

庫存：: 53 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 20 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$11,343.60	NT$11,343.60
	NT$8,408.88	NT$210,222.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Qorvo
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
封裝/外殼:	NI-200
品牌:	Qorvo
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	US
最大工作頻率:	6 GHz
最低工作頻率:	0 Hz
濕度敏感:	Yes
輸出功率:	30 W
封裝:	Tray
產品類型:	GaN FETs
系列:	T2G6003028
原廠包裝數量:	50
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	HEMT
零件號別名:	T2G6003028 1100007
每件重量:	12.115 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

T2G6003028-FL 規格書 (PDF)

PCN

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8532331000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.